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簡介
本文將介紹UHF RFID被動標簽如何通過背散射進行通信的基礎(chǔ)知識和高級原理。在閱讀之前,了解每種耦合的類型以及使用時間非常重要。如果你不了解耦合是什么及其工作原理,請在閱讀本文前參考《耦合原理》。
101 – 基礎(chǔ)
背散射是一種通信方法,其中沒有電池(或任何內(nèi)部電源)的RFID標簽接收RFID讀取器的能量,并利用相同的能量回饋回復。標簽通過從讀卡器/天線傳播的電磁波接收能量。一旦波到達標簽,能量會通過標簽內(nèi)部天線傳遞,激活芯片或集成電路(IC)。剩余能量會被芯片數(shù)據(jù)調(diào)制,并通過標簽的天線以電磁波的形式回流到讀取器的天線。
理解背散射原理的最佳方法是想象兩個人用手電筒和鏡子進行交流。在這種情況下,手電筒代表RFID讀卡器,鏡子代表RFID標簽。手電筒通過開關(guān)光束向鏡子發(fā)送信號。雖然鏡子本身沒有電,但它仍可以通過反射手電筒部分初始信號來與手電筒進行通信。同樣的基本原理也適用于RFID讀卡器和標簽之間的關(guān)系——只是當RFID標簽返回信號時,選擇遠不止全或無(尤其是考慮到使用軟件過濾標簽讀數(shù)的能力)。(CITE)
在進入202節(jié)之前,你可以先看看下面介紹耦合作原理的前身文章。
http://www.lzgtzy.com/31075.html
202 – 高級
深入反向散射時,無法忽視電場的存在和使用,而非僅僅使用磁場。RFID最常用的三種頻率是低頻(LF)、高頻(HF)和超高頻(UHF);但只有其中一種,即超高頻,使用了后向散射,因此采用了電磁場。電磁場的延伸遠超磁場,使得通常與UHF RFID相關(guān)的讀取距離更長。
下面是背散射耦合和磁耦合的并排比較。

需要注意的是,背散射是一種雙向通信方式——即能量先從讀者傳到標簽,然后再從標簽傳回讀者。由于通信讀者標記(前向鏈路)和標簽到讀者通信(反向鏈路)所用能量相同,我們先談談正向鏈路。
前向鏈路(UHF)
前向鏈路是讀取器發(fā)出的詢問信號,用于激活現(xiàn)場的RFID標簽以接收響應。讀卡器通過 DSB-ASK、SSB-ASK 或 PR-ASK 和 PIE 編碼調(diào)制 860-960 MHz 的射頻信號。頻率的選擇由地區(qū)廣播法規(guī)決定。
請參見下方的來源引文。
以下是用于前向鏈路的編碼和調(diào)制類型的表示。


參考上面的圖表,對于二進制數(shù)據(jù)為0,你先發(fā)送一個短高脈沖,接著是低脈沖;對于數(shù)據(jù)為1,你先發(fā)送一個長高脈沖,然后再發(fā)送一個低脈沖。這樣做是為了避免標簽在通信交換過程中失去能量。如果我們簡單地用低電壓表示0,高電壓表示1,那么標簽ID比如5000 000 0000會收到一整組尾隨的零——也就是說,讀取器尋址時電壓很低,可能會回到睡眠狀態(tài)。
請參見下方的來源引文。
反向鏈路(UHF)
反向鏈路是字段中標簽發(fā)送回讀器時的響應信號。標簽通過在高電平和低電平之間切換天線反射系數(shù)來回傳數(shù)據(jù)。標簽的背散射調(diào)制將采用固定的調(diào)制格式,可以是ASK或PSK。RFID標簽還通過FM0基帶或子載波的米勒調(diào)制方式,在傳輸數(shù)據(jù)速率下對后向散射數(shù)據(jù)進行編碼。標簽的響應在讀者端被檢測并解碼。

RFID最常見的問題是環(huán)境問題——無論是金屬或水等非射頻物質(zhì),還是整體不利環(huán)境。環(huán)境因素在討論RFID系統(tǒng)部署時可能帶來諸多限制,但這些因素并不一定抹殺RFID成功的可能性。根據(jù)具體的環(huán)境問題,通常有幾種方法可以緩解問題,確保RFID應用成功。
查看全文RFID技術(shù)的新應用不斷涌現(xiàn),以解決各行業(yè)長期存在的問題。在零售行業(yè),每家商店的庫存可能高達數(shù)千件,甚至數(shù)十萬件,甚至是美元。珠寶店在數(shù)千只耳環(huán)、項鏈和手鏈上投入了數(shù)百萬美元。有了RFID珠寶標簽,準確追蹤庫存成為可行的選擇。
查看全文基于RFID的系統(tǒng)能夠準確記錄資產(chǎn)的過去和未來,在某些行業(yè)中至關(guān)重要。有些公司會記錄資產(chǎn)的歷史,以限制公司對每項資產(chǎn)的負債金額。另一些則跟蹤每項資產(chǎn),通過了解所有資產(chǎn)的時間和位置,更好地規(guī)劃和預測出貨、制造以及更高效的資源利用。
查看全文如果用戶需要的內(nèi)存超過EPC部分的可用空間,某些集成電路配備了擴展的用戶內(nèi)存,可以存儲更多信息。關(guān)于用戶內(nèi)存,沒有統(tǒng)一標準規(guī)定每個標簽可寫入多少位內(nèi)存。通常,擴展內(nèi)存不超過512位,但也有一些高內(nèi)存標簽,內(nèi)存可達4K或8K字節(jié)。這是第二代集成電路的第二個可...
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